制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSZ060NE2LSATMA1
描述
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-ND
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSTR-ND
SP000776122
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 9.1nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 670pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta），26W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
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