BFG35,115 NXP 分立半导体 代理
制造商
NXP USA Inc.
制造商零件编号
BFG35,115
描述
RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
系列 -
其它名称 568-6187-2
933919910115
BFG35 T/R
BFG35 T/R-ND
BFG35,115-ND
BFG35115
规格
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿（值） 18V
频率 - 跃迁 4GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -
增益 -
功率 - 值 1W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 25 @ 100mA，10V
电流 - 集电极（Ic）（值） 150mA
工作温度 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
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