制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SIHP24N65E-GE3
描述
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 145 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 122nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2740pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（值） 250W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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