DMG4800LSD-13 DIODES 分立半导体 工程一对一技术指导
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMG4800LSD-13
描述
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
其它名称 DMG4800LSD-13DITR
DMG4800LSD13
规格
FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 8.56nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 798pF @ 10V
功率 - 值 1.17W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOP
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