SIR414DP-T1-GE3 VISHAY 分立半导体 全新原装
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SIR414DP-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SIR414DP-T1-GE3TR
SIR414DPT1GE3
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 117nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4750pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 5.4W（Ta），83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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