NSVMMUN2212LT1G ON 分立半导体代理-晨兴富利（深圳）电子科技有限公司

NSVMMUN2212LT1G ON 分立半导体代理

发布时间: 2020/1/9 52 次浏览来源：NSVMMUN2212LT1G

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

NSVMMUN2212LT1G

描述

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

系列 -

其它名称 NSVMMUN2212LT1G-ND

NSVMMUN2212LT1GOSTR

规格

晶体管类型 NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（值） 100mA

电压 - 集射极击穿（值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 22 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2） 22 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 60 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（值） 500nA

功率 - 值 246mW

安装类型表面贴装型

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

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