
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRL60SL216
描述
MOSFET N-CH 60V 195A
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®,StrongIRFET™
其它名称 IRL60SL216 -ND
SP001558100
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.95 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 255nC @ 4.5V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 15330pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-262-3
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
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