
制造商
Microchip Technology
制造商零件编号
DN2625DK6-G
描述
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 -
规格
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 耗尽模式
漏源电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 3.5 欧姆 @ 1A,0V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 7.04nC @ 1.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1000pF @ 25V
功率 - 值 -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 8-DFN(5x5)
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