BSL308PEH6327XTSA1 infineon 分立半导体 工程一对一技术指导
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSL308PEH6327XTSA1
描述
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
其它名称 BSL308PEH6327XTSA1-ND
BSL308PEH6327XTSA1TR
SP001101004
规格
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 80 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 11μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 500pF @ 15V
功率 - 值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 PG-TSOP-6-6
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