制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
SPB11N60S5ATMA1
描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5.5V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 54nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1460pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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