工程一对一技术指导 STW19NM65N ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STW19NM65N
描述
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.5A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 270 毫欧 @ 7.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 55nC @ 10V
Vgs（值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1900pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（值） 150W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
安富利（深圳）实业发展有限公司，的配单。一手货源，价格优势，所出的物料，保证原装，正规代理渠道，请放心购买！本公司为一般纳税人，可开13%增值税发票，欢迎垂询！
