准现货 STB3NK60ZT4 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STB3NK60ZT4
描述
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SuperMESH™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 11.8nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 311pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 45W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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