供应原装 STB21NM50N-1 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STB21NM50N-1
描述
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V
Vgs（值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1950pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 140W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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