工程一对一技术指导 STGB12NB60KDT4 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STGB12NB60KDT4
描述
IGBT 600V 30A 125W D2PAK
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 PowerMESH™
规格
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（值） 30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 60A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.8V @ 15V，12A
功率 - 值 125W
开关能量 258μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 54nC
25°C 时 Td（开/关）值 25ns/96ns
测试条件 480V，12A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 80ns
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
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