全新原装 PHN210T,118 NXP 分立半导体产品
制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PHN210T,118
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 TrenchMOS™
规格
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 250pF @ 20V
功率 - 值 2W
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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