工程一对一服务 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay 分立半导体产品
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI6463BDQ-T1-E3
描述
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 60nC @ 5V
Vgs（值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.05W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-TSSOP
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
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