工程一对一服务 STP5NK80Z ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STP5NK80Z
描述
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerMESH™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 45.5nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 910pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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