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原装 STB11NM60T4 ST 分立半导体产品

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STB11NM60T4

描述

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 MDmesh™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 450 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 30nC @ 10V

Vgs(值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1000pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(值) 160W(Tc)

工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


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