工程一对一技术指导 STGB20NB41LZT4 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STGB20NB41LZT4
描述
IGBT 442V 40A 200W D2PAK
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 PowerMESH™
规格
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（值） 442V
电流 - 集电极（Ic）（值） 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2V @ 4.5V，20A
功率 - 值 200W
开关能量 5mJ（开）， 12.9mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 46nC
25°C 时 Td（开/关）值 1μs/12.1μs
测试条件 320V，20A，1 千欧，5V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
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