工程一对一技术指导 STR1P2UH7 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STR1P2UH7
描述
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 STripFET™ H7
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 100 毫欧 @ 700mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 4.8nC @ 4.5V
Vgs（值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 510pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 350mW（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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