工程一对一技术指导 STT5N2VH5 ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STT5N2VH5
描述
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 STripFET™ V
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 30 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 700mV @ 250μA（）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 4.6nC @ 4.5V
Vgs（值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 367pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6
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