工程一对一服务 STQ1HNK60R-AP ST 分立半导体产品
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STQ1HNK60R-AP
描述
MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SuperMESH™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 10nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 156pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 3W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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