工程一对一技术指导 RN2706 Toshiba 分立半导体产品
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商零件编号
RN2706JE(TE85L,F)
描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
系列 -
规格
晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）
电流 - 集电极（Ic）（值） 100mA
电压 - 集射极击穿（值） 50V
电阻器 - 基底（R1） 4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2） 47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 300mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（值） 100nA（ICBO）
频率 - 跃迁 200MHz
功率 - 值 100mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-553
供应商器件封装 ESV
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