代理 PHKD13N03LT NXP 分立半导体产品
制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PHKD13N03LT,518
描述
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 TrenchMOS™
规格
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 10.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 752pF @ 15V
功率 - 值 3.57W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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