供应SH8M12TB1 ROHM 分立半导体产品
制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
SH8M12TB1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商Rohm Semiconductor
系列-
包装 ?带卷（TR） ?
零件状态不適用於新設計
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A，4.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）42 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）250pF @ 10V
功率 - 值2W
工作温度150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SOP
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