工程一对一服务SI4848DY-T1-E3 VISHAY 分立半导体产品
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4848DY-T1-E3
描述MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）1（无限）
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
包装 ?带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.7A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2V @ 250μA（）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）-
Vgs（值）±20V
FET 功能-
功率耗散（值）1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）85 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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