制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPD60R180P7SE8228AUMA1

描述

MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3

类别

分立半导体产品

晶体管

FET，MOSFET

单 FET，MOSFET

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

180 毫欧 @ 5.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 280µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

25 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1081 pF @ 400 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

72W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD60R

公司简介：

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