制造商

Texas Instruments

制造商产品编号

CSD18533Q5A

类别

分立半导体产品

单 FET，MOSFET

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5.9 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

36 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2750 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.2W（Ta），116W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSONP（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD18533

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