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技术资料 / Data

STP25N10F7 ST 分立半导体产品

2022/12/13 16:44:20 STP25N10F7

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STP25N10F7

类别

分立半导体产品

FETMOSFET

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE, STripFETVII

包装

管件

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

25ATc

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On

10V

不同 IdVgs 时导通电阻(最大值)

35 毫欧 @ 12.5A10V

不同 Id Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

14 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

920 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

50WTc

工作温度

-55°C ~ 175°CTJ

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

STP25

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