ON Semiconductor 晶体管 FQP4N90C

制造商

ON Semiconductor

制造商产品编号

FQP4N90C

ON Semiconductor 晶体管 FQP4N90C

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.2 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250μA

Vgs（最大值）±30V

FET 功能-

功率耗散（最大值）140W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220-3

封装/外壳TO-220-3

漏源电压（Vdss）900 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）22 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）960 pF @ 25 V

基本产品编号FQP4

ON Semiconductor 晶体管 FQP4N90C

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