
Infineon Technologies 晶体管 IRLML6346TRPBF
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies 晶体管 IRLML6346TRPBF
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 10μA
Vgs(最大值)±12V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.3W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装Micro3™/SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss)30 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)2.9 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)270 pF @ 24 V
基本产品编号IRLML6346
Infineon Technologies 晶体管 IRLML6346TRPBF
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