STMicroelectronics 晶体管 IRF640

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

IRF640

STMicroelectronics 晶体管 IRF640

包装管件

零件状态停产

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA

Vgs（最大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（最大值）125W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

漏源电压（Vdss）200 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）72 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1560 pF @ 25 V

基本产品编号IRF6

STMicroelectronics 晶体管 IRF640

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