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技术资料 / Data

STF11NM65N ST 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 全新原装

2020/7/22 10:37:35 STF11NM65N

制造商 

STMicroelectronics

制造商零件编号 

STF11NM65N

描述 

MOSFET N-CH 650V TO-220FP


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 MDmesh™ II

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 455 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 29nC @ 10V

Vgs(值) ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(值) 25W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

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