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技术资料 / Data

SI4965DY-T1-E3 Vishay 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 全新原装

2020/7/13 10:36:53 SI4965DY-T1-E3

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI4965DY-T1-E3

描述 

MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 21 毫欧 @ 8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 450mV @ 250μA()

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 55nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) -

功率 - 值 2W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装 8-SO

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