制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI4463BDY-T1-E3

描述 

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 TrenchFET®

其它名称 SI4463BDY-T1-E3TR

SI4463BDYT1E3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.8A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 11 毫欧 @ 13.7A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（值） 1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 56nC @ 4.5V

Vgs（值） ±12V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.5W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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