SI4463BDY-T1-E3 Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 原装
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4463BDY-T1-E3
描述
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SI4463BDY-T1-E3TR
SI4463BDYT1E3
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.8A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 11 毫欧 @ 13.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 56nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.5W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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