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技术资料 / Data

SI5853DC-T1-E3 Vishay 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 代理

2020/7/13 10:31:46 SI5853DC-T1-E3

制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SI5853DC-T1-E3

描述 

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 LITTLE FOOT®

其它名称 SI5853DC-T1-E3TR

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 1.8V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 110 毫欧 @ 2.7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 7.7nC @ 4.5V

Vgs(值) ±8V

FET 功能 肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(值) 1.1W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 1206-8 ChipFET™

封装/外壳 8-SMD,扁平引线

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