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技术资料 / Data

STD11N65M5 ST 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 配单 FAE技术支持

2020/7/7 11:20:21 STD11N65M5

制造商 

STMicroelectronics

制造商零件编号 

STD11N65M5

描述 

MOSFET N CH 650V 9A DPAK


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 MDmesh™ V

其它名称 497-12935-2

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 480 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 17nC @ 10V

Vgs(值) ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 620pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(值) 85W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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