制造商 

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FGY160T65SPD-F085

描述 

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

系列 汽车级，AEC-Q101

其它名称 FGY160T65SPD_F085

FGY160T65SPD_F085-ND

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（值） 240A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 480A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.05V @ 15V，160A

功率 - 值 882W

开关能量 12.4mJ（开），5.7mJ（关）

输入类型 标准

25°C 时 Td（开/关）值 53ns/98ns

测试条件 400V，160A，15V

反向恢复时间（trr） 132ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247-3

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