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技术资料 / Data

FDN360P ON 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 工程一对一服务

2020/6/16 10:47:24 FDN360P

制造商 

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDN360P

描述 

MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 PowerTrench®

其它名称 FDN360PF095

FDN360PTR

FDN360P_F095

FDN360P_F095TR

FDN360P_F095TR-ND

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 80 毫欧 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 9nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 298pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(值) 500mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SuperSOT-3

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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