SI8483DB-T2-E1 Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 原装
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI8483DB-T2-E1
描述
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 TrenchFET®
其它名称 SI8483DB-T2-E1TR
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 26 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 800mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 65nC @ 10V
Vgs（值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1840pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.77W（Ta），13W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-Micro Foot™（1.5x1）
封装/外壳 6-UFBGA
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