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技术资料 / Data

PSMN1R6-40YLC,115 Nexperia 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 代理

2020/5/29 10:32:07 PSMN1R6-40YLC,115

制造商 

Nexperia USA Inc.

制造商零件编号 

PSMN1R6-40YLC,115

描述 

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 -

其它名称 1727-7277-2

568-9907-2

568-9907-2-ND

PSMN1R640YLC115

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)

驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.55 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.95V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 126nC @ 10V

Vgs(值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 7790pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散(值) 288W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8

封装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK

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