制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PSMN1R6-40YLC,115
描述
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 1727-7277-2
568-9907-2
568-9907-2-ND
PSMN1R640YLC115
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.55 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 126nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 7790pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(值) 288W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK
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