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技术资料 / Data

IRF7555TR infineon 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 优势代理

2020/5/26 10:12:52 IRF7555TR

制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IRF7555TR

描述 

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8


类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 HEXFET®

其它名称 *IRF7555TR

IRF7555

IRF7555CT

规格

FET 类型 2 个 P 沟道(双)

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 55 毫欧 @ 4.3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 15nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1066pF @ 10V

功率 - 值 1.25W

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

供应商器件封装 Micro8™

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