
制造商
Diodes Incorporated
制造商零件编号
DMN2300UFB4-7B
描述
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 DMN2300UFB4-7BDITR
DMN2300UFB47B
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 175 毫欧 @ 300mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 1.6nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 64.3pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X2-DFN1006-3
封装/外壳 3-XFDFN
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