制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

SUD19P06-60L-E3

描述 

MOSFET P-CH 60V 19A TO252

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

其它名称 SUD19P06-60L-E3-ND

SUD19P06-60L-E3TR

SUD19P0660LE3

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 40nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1710pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.7W（Ta），46W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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