IRFD120PBF Vishay 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工程一对一服务
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
IRFD120PBF
描述
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 *IRFD120PBF
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 270 毫欧 @ 780mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 16nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
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