制造商 

Vishay Siliconix

制造商零件编号 

IRFD120PBF

描述 

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 *IRFD120PBF

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 270 毫欧 @ 780mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 16nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 360pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 1.3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）

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