IRL40B215 infineon 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工程一对一技术指导
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRL40B215
描述
MOSFET N-CH 40V 120A
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
其它名称 448-IRL40B215
IRL40B215-ND
SP001558684
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.7 毫欧 @ 98A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 84nC @ 4.5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5225pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 143W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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