制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
SMUN5312DW1T1G
描述

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
系列 -
其它名称 SMUN5312DW1T1G-ND 
SMUN5312DW1T1GOSTR 
规格
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（值） 100mA
电压 - 集射极击穿（值） 50V
电阻器 - 基底（R1） 22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2） 22 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（值） 60 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（值） 250mV @ 300μA，10mA
电流 - 集电极截止（值） 500nA
频率 - 跃迁 -
功率 - 值 187mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
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