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技术资料 / Data

STB22NM60N ST 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应原装

2020/3/18 10:00:09 STB22NM60N

制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STB22NM60N
描述

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
其它名称 497-10298-2 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 220 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 44nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 1300pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 125W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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通环节,降低运营成本。目前主要经营:TI(德州仪器)、ST(意法半导体)、ADI(亚德诺半导体)、

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