制造商 

Infineon Technologies

制造商零件编号 

IPP110N20N3GXKSA1

描述 

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 OptiMOS™

其它名称 IPP110N20N3 G 

IPP110N20N3 G-ND 

IPP110N20N3G 

SP000677892 

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 88A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 11 毫欧 @ 88A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 270μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 87nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 7100pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3

封装/外壳 TO-220-3

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