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技术资料 / Data

PSMN6R5-80BS,118 NXP 晶体管 - FET,MOSFET - 单 配单 FAE技术支持

2020/3/9 10:29:44 PSMN6R5-80BS,118

制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件编号
PSMN6R5-80BS,118
描述

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
其它名称 1727-7213-2 
568-9704-2 
568-9704-2-ND 
934066202118 
PSMN6R5-80BS,118-ND 
PSMN6R580BS118 
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 6.9 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 71nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 4461pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散(值) 210W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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